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硅上的多通道三柵極III-氮化物高電子遷移率晶體管
摘要：目前瑞士和中國(guó)的研究人員共同制造出具有五個(gè)III族氮化物半導(dǎo)體溝道能級(jí)的三柵極金屬氧化物半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管,從而提高了靜電控制和驅(qū)動(dòng)電流。瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院(EPFL)和中國(guó)的Enkris半導(dǎo)體公司所制造的材料結(jié)構(gòu)由5個(gè)平行層組成,包括10nm氮化鋁鎵(AlGaN)阻擋層,1nm AlN間隔層和10nm GaN溝道(圖1)。
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半導(dǎo)體信息雜志
半導(dǎo)體信息雜志， 雙月刊，本刊重視學(xué)術(shù)導(dǎo)向，堅(jiān)持科學(xué)性、學(xué)術(shù)性、先進(jìn)性、創(chuàng)新性，刊載內(nèi)容涉及的欄目：企業(yè)指南、國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體技術(shù)與器件、市場(chǎng)動(dòng)態(tài)等。于1990年經(jīng)新聞總署批準(zhǔn)的正規(guī)刊物。
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