先驅(qū)體流延轉(zhuǎn)化法制備碳化硅陶瓷基片
作者：鞠振飛; 雷雷 海裝上海局; 上海201206; 中國航發(fā)控制系統(tǒng)研究所; 江蘇無錫214100
摘要：為了改善碳化硅陶瓷基片的介電性能,開發(fā)不同于漿料燒結(jié)法的陶瓷基片制備新工藝。采用先驅(qū)體轉(zhuǎn)化法,通過向先驅(qū)體中添加鈹作為異質(zhì)元素,再進(jìn)行流延和燒成,制備出了含有鈹元素的改性碳化硅陶瓷基片。對含鈹碳化硅陶瓷基片的介電常數(shù)和介電損耗進(jìn)行了表征,發(fā)現(xiàn)雖然其介電常數(shù)和介電損耗相比常用的Al2O3等陶瓷基片材料沒有明顯提升,但鈹元素含量對介電常數(shù)和介電損耗曲線的峰值區(qū)頻率有明顯的影響,可通過調(diào)節(jié)碳化硅陶瓷中鈹元素的含量制得在特定頻率范圍下具有低介電常數(shù)和低介電損耗的改性碳化硅陶瓷基片。
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電子工藝技術(shù)雜志
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