表面處理降低GaAs界面態(tài)密度的研究
作者：肖和平; 王瑞瑞 揚(yáng)州乾照光電有限公司; 江蘇揚(yáng)州225101
摘要：GaAs材料經(jīng)機(jī)械研磨后,表層形成粗糙界面,用酸堿法表面處理GaAs,使Ga-O、As-O鍵斷裂并修復(fù)粗糙界面,處理效果通過電導(dǎo)法測(cè)量界面態(tài)密度與XPS分析界面化合物價(jià)態(tài)來表征。結(jié)果表明酸堿處理均可降低界面態(tài)密度與表面Ga、As氧化物,且酸處理的效果優(yōu)于堿處理,Ga-O化合物去除率高于As-O化合物去除率,界面態(tài)密度的降低可能主要與Ga化合物的減少相關(guān)。
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電子器件雜志
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