點(diǎn)缺陷半徑變化對(duì)光子晶體直接耦合結(jié)構(gòu)THz波調(diào)制器性能的影響
作者：宋麗軍 陳鶴鳴 趙新彥 汪靜麗 南京郵電大學(xué)光通信研究所 江蘇南京210003
摘要：點(diǎn)缺陷構(gòu)成的微腔對(duì)THz波調(diào)制器的性能起著決定性的作用，而在實(shí)際制作加工過程中，由于工藝的原因，光子晶體的結(jié)構(gòu)參量會(huì)產(chǎn)生偏差，難以制備出孔徑毫無偏差的光子晶體，且介質(zhì)柱的放置位置不能達(dá)到完全精確，因此光子晶體器件的性能也因此會(huì)受到一定程度的影響。文中重點(diǎn)討論了點(diǎn)缺陷介質(zhì)柱的半徑變化對(duì)直接耦合結(jié)構(gòu)的THz波調(diào)制器性能的影響，為光子晶體調(diào)制器的實(shí)際制作和相應(yīng)的誤差分析提供了理論幫助。
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電子元器件應(yīng)用雜志
電子元器件應(yīng)用雜志， 月刊，本刊重視學(xué)術(shù)導(dǎo)向，堅(jiān)持科學(xué)性、學(xué)術(shù)性、先進(jìn)性、創(chuàng)新性，刊載內(nèi)容涉及的欄目：電子元件、器件、組件、集成電路、以及模塊等。于1999年經(jīng)新聞總署批準(zhǔn)的正規(guī)刊物。
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