Si-cap厚度對(duì)Si/SiGe/SOI量子阱p-FET電學(xué)性能的影響
作者：趙宇航; 盧意飛; 劉強(qiáng) 上海集成電路研發(fā)中心有限公司; 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
摘要：本工作模擬仿真了Si/SiGe/SOI量子阱p-MOSFETs的電學(xué)性能,重點(diǎn)分析了Si-cap層厚度對(duì)Ge的層間互擴(kuò)散的影響。依據(jù)本文的仿真模型,Si-cap層越薄,越有利于形成Si/SiGe突變異質(zhì)結(jié),并有利于形成勢(shì)壘更深的量子阱,這有利于將更多的空穴限制在SiGe層中,而不是進(jìn)入厚的Si-cap層中。空穴在SiGe層中的遷移率顯著高于在Si-cap層中的遷移率,從而提高了器件性能。此外,較薄的Si-cap層有利于在SiGe層中形成更高的溝道電場(chǎng),從而提高器件的開啟電流。
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功能材料與器件學(xué)報(bào)雜志
功能材料與器件學(xué)報(bào)雜志， 雙月刊，本刊重視學(xué)術(shù)導(dǎo)向，堅(jiān)持科學(xué)性、學(xué)術(shù)性、先進(jìn)性、創(chuàng)新性，刊載內(nèi)容涉及的欄目：熱點(diǎn)·關(guān)注(柔性材料與器件專題)、綜述·評(píng)論、研究·開發(fā)等。于1995年經(jīng)新聞總署批準(zhǔn)的正規(guī)刊物。
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