摘要：調(diào)節(jié)自配拋光液的H 2O 2含量、pH值、拋光盤轉(zhuǎn)速和拋光壓力,通過(guò)電化學(xué)實(shí)驗(yàn),探究單晶硅互拋拋光過(guò)程中拋光工藝參數(shù)對(duì)腐蝕電位、腐蝕電流和拋光速率的影響規(guī)律,并解釋其電化學(xué)機(jī)理。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:霧化施液?jiǎn)尉Ч杌亽伖馑俾孰S著pH值、H 2O 2濃度和拋光盤轉(zhuǎn)速的增大呈現(xiàn)先增大后減小的趨勢(shì),并在pH值為10.5、H 2O 2濃度為2%、拋光盤轉(zhuǎn)速為70 r/min處達(dá)到最大值,隨著拋光壓力的不斷增大而增大;通過(guò)霧化施液?jiǎn)尉Ч杌亽伖鈱?shí)驗(yàn)得到合理的工藝參數(shù):pH值為10.5、H 2O 2濃度為2%、拋光盤轉(zhuǎn)速為60 r/min、拋光壓力為7 psi,在該參數(shù)下,硅片的拋光速率達(dá)到635.2 nm/min,表面粗糙度達(dá)到4.01 nm。