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電子隧穿位置和原子實(shí)的庫(kù)侖勢(shì)對(duì)高階閾上電離的影響
作者：王傳亮; 麥麥提吐遜·阿布都熱依木; 劉潤(rùn)琴; 夏立新 喀什大學(xué)物理與電氣工程學(xué)院; 新疆喀什844008
摘要：利用半經(jīng)典方法研究了氬原子在強(qiáng)激光場(chǎng)中的高階閾上電離.通過(guò)與simple-man模型和考慮非零隧穿位置的改進(jìn)模型對(duì)比,發(fā)現(xiàn)電子隧穿位置和原子實(shí)的庫(kù)侖勢(shì)對(duì)電子再碰撞過(guò)程有重要影響.電子隧穿位置主要對(duì)單返回再碰撞起作用;而原子實(shí)的庫(kù)侖勢(shì)在整個(gè)再碰撞過(guò)程中都不可忽視,但在多次返回再碰撞中才表現(xiàn)出明顯的作用.
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喀什師范學(xué)院學(xué)報(bào)雜志
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