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  • 首頁 > 期刊 > 中國粉體工業(yè) > 高純碳化硅粉體合成方法研究現(xiàn)狀綜述 【正文】

    高純碳化硅粉體合成方法研究現(xiàn)狀綜述

    作者:安振華 不詳

    摘要:SiC粉體的純度對生長SiC單晶晶體質量有重要影響。本文介紹了SiC粉體的多種合成方法,并主要闡述了高純SiC粉體的兩種合成方法,最后對高純SiC粉體的合成工藝進行了展望。

    注:因版權方要求,不能公開全文,如需全文,請咨詢雜志社。

    中國粉體工業(yè)雜志

    中國粉體工業(yè)雜志, 雙月刊,本刊重視學術導向,堅持科學性、學術性、先進性、創(chuàng)新性,刊載內容涉及的欄目:本刊視點、論文選粹、行業(yè)資訊_粉體產品資訊_政策法規(guī)、行業(yè)資訊_粉體產品資訊_無機粉體、行業(yè)資訊_粉體產品資訊_非金屬礦粉體、行業(yè)資訊_粉體產品資訊_金屬粉體、行業(yè)資訊_粉體產品資訊_納米粉體材料、行業(yè)資訊_粉體設備資訊、市場透視、粉體百科、項目招商、商情平臺等。于2004年經新聞總署批準的正規(guī)刊物。

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