紫外增強(qiáng)硅基成像探測器進(jìn)展
作者：張猛蛟; 蔡毅; 江峰; 鐘海政; 王嶺雪 北京理工大學(xué)光電學(xué)院納米光子學(xué)與超精密光電系統(tǒng)北京市重點實驗室; 北京100081; 中國兵器科學(xué)研究院; 北京100089; 北京理工大學(xué)材料學(xué)院; 北京100081; 華東光電集成器件研究所; 江蘇蘇州215163
摘要：硅基紫外成像探測技術(shù)具有可靠性好、集成度高、容易大面陣化、成本低等優(yōu)勢,成為探測領(lǐng)域的重要研究方向。隨著硅半導(dǎo)體工藝的持續(xù)進(jìn)步以及納米科學(xué)的發(fā)展,利用半導(dǎo)體技術(shù)、熒光轉(zhuǎn)換材料或者低維納米結(jié)構(gòu)來增強(qiáng)硅基探測器的紫外響應(yīng)取得了長足的進(jìn)步。本文綜述了國內(nèi)外硅基紫外增強(qiáng)成像探測器件、系統(tǒng)應(yīng)用的進(jìn)展,通過回顧器件發(fā)展的歷史和對研究現(xiàn)狀的分析,并結(jié)合紫外探測技術(shù)在天文物理、生化分析、電暈檢測等領(lǐng)域的應(yīng)用進(jìn)展,探討了硅基紫外成像探測技術(shù)發(fā)展的趨勢和挑戰(zhàn)。
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中國光學(xué)雜志
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